NTGS3446
1400
1200
1000
800
600
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
5
4
3
2
? V DS
Q gs
Q gd
Q T
? V GS
I D = 5.1 A
T J = 25 ° C
15
12
9
6
400
200
C oss
1
3
0
? 10
? 5.0
0
5.0
10
C rss
15
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
8
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 5.1 A
V GS = 4.5 V
V f
6
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
V r
V d(off)
V d(on)
3
2
1
1
0
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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4
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